壓電旋轉(zhuǎn)納米位移臺(tái)RF系列，通過壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)，具有定位準(zhǔn)確，位置保持性好，自帶鎖緊，能360°旋轉(zhuǎn)等優(yōu)點(diǎn)。在增強(qiáng)位置反饋模塊后，可實(shí)現(xiàn)高精度及高分辨率的開環(huán)/閉環(huán)控制，適用于大氣及真空環(huán)境下工作。 壓電旋轉(zhuǎn)納米位移臺(tái)RF系列應(yīng)用： 1、電子顯微鏡原位納米探針臺(tái)。 2、半導(dǎo)體芯片檢測(cè)。 3、光刻機(jī)工件臺(tái)。 4、微生...

壓電驅(qū)動(dòng)納米位移臺(tái)，使用壓電陶瓷作為運(yùn)動(dòng)促動(dòng)元件，可以在數(shù)百毫米范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)別的Z小步長(zhǎng)，從而解決了傳統(tǒng)納米臺(tái)行程小而微米電動(dòng)臺(tái)分辯精度不高的問題。在科研市場(chǎng)、半導(dǎo)體市場(chǎng)、先進(jìn)制造業(yè)、生物醫(yī)藥行業(yè)、光學(xué)、通信等行業(yè)有廣泛應(yīng)用。 壓電納米位移臺(tái)優(yōu)勢(shì)： 1、結(jié)構(gòu)緊湊，高剛性。 2、高精度柔性鉸鏈導(dǎo)向...

今天卓聚科技小編來(lái)給大家介紹一下等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備的技術(shù)基礎(chǔ)。 1、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的主要過程 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。由于PECVD技術(shù)是通過應(yīng)氣體放電來(lái)制備薄膜...

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD) 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積-制取方法 在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)沉積的半導(dǎo)體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是：在化學(xué)氣相沉積中，激發(fā)氣體，使其產(chǎn)生低溫等離子體，增強(qiáng)反應(yīng)物...

壓電納米位移臺(tái)是通過壓電馬達(dá)驅(qū)動(dòng)控制的電動(dòng)位移臺(tái)，不同于傳統(tǒng)的步進(jìn)馬達(dá)，直線電機(jī)，電磁馬達(dá)等驅(qū)動(dòng)形式，壓電馬達(dá)是利用逆壓電效應(yīng)的原理，通過壓電陶瓷在電場(chǎng)作用下（一般在共振狀態(tài)下）產(chǎn)生的形變，由摩擦耦合推動(dòng)滑臺(tái)動(dòng)子的運(yùn)動(dòng)，從而驅(qū)動(dòng)平臺(tái)的位置移動(dòng)。壓電納米位移臺(tái)斷電時(shí)保持自鎖，從而不消耗能量，不發(fā)熱...

納米位移臺(tái)的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？卓聚科技小編為大家介紹一下納米位移臺(tái)的應(yīng)用有哪些和組成。 納米位移臺(tái)的特點(diǎn)是納米級(jí)高分辨率及精度、毫秒至亞毫秒級(jí)快響應(yīng)速度、簡(jiǎn)便的控制方式、低成本等，因此具有非常廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，如顯微成像、激光加工（晶圓切割）、微納車削加工、圖像分辨率增強(qiáng)、光學(xué)檢測(cè)移相器等快速微納致動(dòng)...